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供應信息

壓敏電阻_過壓保護|抗雷擊_TKS壓敏電阻

東莞市源林電子科技有限公司
  • 經(jīng)營模式：生產(chǎn)加工
  • 地址：廣東省東莞市長安鎮(zhèn)烏沙興發(fā)北路5號3號樓
  • 主營：壓敏電阻,熱敏電阻,溫度傳感器
業(yè)務熱線:134 2311 8663
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  • 產(chǎn)品詳情
  • 聯(lián)系方式
    • 產(chǎn)品品牌：臺灣興勤
    • 供貨總量：不限
    • 價格說明：議定
    • 包裝說明：不限
    • 物流說明：貨運及物流
    • 交貨說明：按訂單
    • 有效期至：長期有效
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    壓敏電阻交流作用下的老化機理

    交流作用下。在正半周時

    ，假設右側(cè)為正極性，電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上，使右側(cè)的Zni向晶界遷移
    ，而左側(cè)所加電壓很低，Zn

    i向晶粒內(nèi)遷移不大

    ；在負半周
    ，電壓主要加在左側(cè)，使左側(cè)Zni向晶界遷移
    ，右側(cè)這時所加電壓很低
    ，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大?div id="d48novz" class="flower left">
    ？偟慕Y(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移
    。

    源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)

    。主營壓敏電阻
    、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團隊
    ，廠家直銷
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    非線性區(qū)域：

    中電場區(qū)為非線性區(qū)域

    ，也是壓敏電阻器應用中重要的區(qū)域，導電機理主要是隧道電流及空穴生成降低勢壘
    。如只考慮隧道效應J = J0exp(-λ/E)
    ，λ為3π(2m)1/2φ3/2/2he,E為耗盡層中的電場強度，算出的a值低于50
    。

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    ＺｎＯ　壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn)，形成的四個主要 成分是?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">。冢睿?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">、尖晶石、焦綠石和一些富?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">。拢椤∠啵▓D?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">。常D 中也指明了組分存在的部位

    ，還存在一些用現(xiàn)有技術(shù)尚不 易檢測出來的其它次要相
    。 ＺｎＯ　壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之間， 并且也總是伴有雙晶
    。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長
    ，而　ＴｉＯ２　 和?div id="jfovm50" class="index-wrap">。拢幔稀t加速晶粒長大
    。尖晶石和焦綠石相對晶粒長大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時起作用
    ，而尖晶石相在高溫 時有利
    。當用鹽酸浸蝕晶粒時，中間相呈現(xiàn)出在電性上絕 緣的三維網(wǎng)絡
    。 燒結(jié)形成的?div id="jfovm50" class="index-wrap">。冢睿稀【ЯＪ恰。冢睿稀好綦娮璧幕緲?gòu)成單純?div id="jfovm50" class="index-wrap">。冢睿稀∈蔷哂芯€性?div id="jfovm50" class="index-wrap">。桑铡√匦缘姆腔瘜W計量　ｎ　型半導 體
    。進入　 ＺｎＯ　 中的各種添加物使其具有非線性
    。這些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。這些氧化物的引入
    ，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷
    ，施主或類施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)
    。相關(guān)的缺陷類 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇
    、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ
    、Ｖ ｏ ）
    、填隙鋅

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